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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    vns3nv04dptr-e

  • 功能描述

    MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

规格书PDF

  • 芯片型号:

    VNS3NV04DPTR-E

  • PDF资料下载:

    下载资料

  • 原厂全称:

    STMicroelectronics

  • 原厂简称:

    STMICROELECTRONICS

  • 页数:

    21

  • 文件大小:

    289 kb

  • 说明:

    OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET